Electronic components in Abja-Paluoja

Mudel number: 5o21503NJ Sagedusvahemik: DC-3GHz Võimsus: 5W VSWR: 1,15 Ühendustüüp: N-J Takistus: 50Ω Kasutusalad Traadita sidesüsteemid. Radar- ja satelliitsüsteemid. Testimis- ja mõõteseadmed. Muud erikasutusalad: harmooniliste häirete summutamine, elektroonilised vastumeetmed jne.

Meie WR90 (BJ100) lainejuht-koaksiaaladapter (mudel: 5o60WR900) on loodud sujuvaks üleminekuks lainejuht- ja koaksiaaltehnoloogia vahel ning pakub erakordset jõudlust sagedusalas 8,2–12,5 GHz. See täppisadapteril on ülimaadala sisestuskadu (maksimaalselt 0,2 dB) ja suurepärane VSWR (maksimaalselt

Model Number: 5o0156630150170 Frequency Range:150~170MHz Insertion Loss: 0.6dB Isolation:18dB VSWR:1.3 Forward Power:300W Reverse Power:150W Connector Type: TAB Temperature:-10~+70℃ Dimension:56*63.5*15mm Application RF power amplifier protection. Digital, Satellite, Mobile

Tundlike RF-komponentide kaitsmisel paistab silma meie suure jõudlusega Drop-In isolator (mudel: 5o0125310) kui robustne lahendus. See isolator on konstrueeritud töötama laias sagedusvahemikus 200–3600 MHz, tagades minimaalse signaali kadu (kuni 0,2 dB) ja suurepärase isolatsiooni (kuni 25 dB).

We are the Polish company Tara, we offer silicon ingots and plates from Ukraine Silicon ingots   semiconductor grade silicon ingots with diameter from 2” up to 8” in quantity more than 200 000kg per year. Basic parameters of silicon ingots for semiconductor application: Growth

Магнетроны, под заказ. Цена с доставкой в ЕС. Частота, ГГц 14,7-14,8 Выходная мощность, кВт 80-120 Напряжение анода, кВ 14,0-15,5 Напряжение накала, В 5,7-7,0 Ток анода, А 23,5-40,0 Ток накала, А 4,1-4,9 КСВН ≤ 1,1 Минимальная наработка, ч 500

Meie uusim 2-suunaline kombainer/hübriidkobler (mudel: 5o2T150134370) tagab täpse signaalihalduse sagedusalas 350–520 MHz. See mitmekülgne passiivkomponent pakub ülimaadala sisestuskaotust (kuni 0,3 dB) ja kõrget portidevahelist isolatsiooni (kuni 26 dB), tagades minimaalse võimsuse kadu RF-teede